Sächsischer Auftakt für die »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland«

Die elf Institute des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik und zwei Institute der Leibniz-Gemeinschaft werden mit Investitionen in Höhe von 350 Millionen Euro in ihre Forschungsausstattung neuartige Angebote schaffen und ihr Technologie-Know-how in der »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland« (FMD) stärker vernetzen und standortübergreifend aus einer Hand anbieten. Mit dieser Förderung möchte das Bundesministerium für Bildung und Forschung die Innovationsfähigkeit der Halbleiter- und Elektronikindustrie in Deutschland und Europa im globalen Wettbewerb stärken und unterstützt das Vorhaben mit der größten Investition in Forschungsgeräte seit der Wiedervereinigung. Allein 100,8 Millionen Euro des Zukunftsprogramms gehen an die vier in Sachsen beteiligten Fraunhofer-Institute. Diese feierten heute den offiziellen Projektstart für die sächsischen Standorte.

Durch die "Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland" werden im ersten Schritt insgesamt 13 beteiligte außeruniversitäre Forschungseinrichtungen mit den modernsten Geräten und Anlagen ausgestattet. In den vier in Sachsen beteiligten Fraunhofer-Instituten für Photonische Mikrosysteme IPMS, für Integrierte Schaltungen und Systeme IIS mit dem Institutsteil Entwicklung Adaptiver Systeme EAS (9 Mio. Euro), für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM mit dem Institutsteil All Silicon System Integration Dresden ASSID (8,5 Mio. Euro) sowie für Elektronische Nanosysteme ENAS (19,9 Mio. Euro) werden die rund 100 Millionen Euro Fördermittel für eine grundlegende Modernisierung und Erweiterung der vorhandenen Forschungsausstattung genutzt. Wichtigste Investitionsbereiche umfassen Anlagen für die Herstellung von neuartigen Mikrosystemen, Leading Edge CMOS Prozessen auf 300 mm Wafern, die 2.5/3D Waferlevelintegration sowie Geräteausstattung für Schaltungsdesign, Test und Zuverlässigkeitsprüfungen. Hier profitieren das Fraunhofer-Institut IPMS Dresden , das Frauhofer ENAS Chemnitz , der Standort Dresden des Fraunhofer IIS  und das Fraunhofer IZM-ASSIS in Moritzburg .

In einem zweiten Schritt sollen ab 2018 mit weiteren 50 Millionen Euro solche Investitionen für die Mikroelektronik an Hochschulen gefördert werden, die die Forschungsschwerpunkte in der Forschungsfabrik inhaltlich ergänzen und die besonderen Kapazitäten der Hochschulen auf dem Gebiet berücksichtigen.

    

Über die "Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland"

Das für die "Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland" entwickelte Konzept sieht vor, die technologischen Fähigkeiten in einem gemeinsamen Technologiepool zusammenzuführen, Ausstattungslücken zu schließen und die wichtigen Laborlinien für Mikroelektronik-Technologien zu erneuern. In vier sogenannten Technologieparks wird die Arbeit auf folgende zukunftsrelevante Themenfelder konzentriert: Neueste Siliziumtechnologien für die Sensorik sowie Aktorik und Informationsverarbeitung, Halbleiter mit modernsten Materialien für Energiespar- und Kommunikationstechnik, neuartige Kombinationen von Silizium- und anderen Halbleitern für das Internet der Dinge und Entwurf, Test und Zuverlässigkeit für Qualität und Sicherheit. Insgesamt werden mehr als 2.000 Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler mitwirken.

Mit den Investitionen in die "Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland" sowie die Hochschulen und dem Rahmenprogramm "Mikroelektronik aus Deutschland – Innovationstreiber der Digitalisierung" unterstützt das BMBF Forschung und Innovation in der Mikroelektronik mit insgesamt rund 800 Millionen Euro bis 2020. Dies ist Teil eines Maßnahmenpaketes zur Förderung der Mikroelektronik in Deutschland, das die Bundesregierung auf den Weg gebracht hat und zu dem auch eine Investitionsförderung für Mikroelektronikunternehmen gehört. Die Mikroelektronik ist eine Schlüsseltechnologie für strategisch bedeutsame, starke Industriebranchen wie den Maschinen- und Automobilbau. Moderne Mikroelektronik ist Voraussetzung für Industrie 4.0, intelligente Mobilität und effiziente Technik für die Energiewende.