Innovative "Chips" aus Hafniumoxid: Tech-Konzerne beteiligen sich an TU-Dresden-Ausgründung
Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC), der Technologieführer für ferroelektrische Hafniumoxid-Speichertechnologie mit Sitz in Dresden, hat heute den Abschluss einer Series-B-Finanzierung in Höhe von 20 Millionen US-Dollar bekannt gegeben. Ein starkes Investorenkonsortium - darunter Konzerne wie SK hynix und BOSCH - ermöglicht FMC die schnellere Kommerzialisierung ihrer bahnbrechenden, nichtflüchtigen ferroelektrischen Speichertechnologie für ein breites Spektrum von Speicher- und Datenverarbeitungsanwendungen.
Das 2016 gegründete sächsische Unternehmen sorgte bereits in der Vergangenheit in der Fachwelt für Furore mit der Vorstellung seiner disruptiven nichtflüchtigen Speichertechnologie basierend auf kristallinem ferroelektrischem Hafniumoxid. Das einzigartige Potenzial dieser Technologie zieht ein Investitionsvolumen an, das nur wenigen deutschen Technologie-Start-ups in so einer frühen Phase zuteil wird. Die Gründer von FMC hatten ihre Technologie ursprünglich am Nanoelektronik-Labor „Namlab“ der TU Dresden gemeinsam mit Globalfoundries Dresden entwickelt.
Die Finanzierungsrunde wird angeführt von den neuen Investoren M Ventures und imec.xpand unter Beteiligung von SK hynix, Robert Bosch Venture Capital und TEL Venture Capital. eCAPITAL, Leadinvestor der Series-A-Finanzierung, beteiligte sich ebenfalls an dieser Runde. Ziel der neuen Investorengruppe ist es, FMC entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette zu unterstützen, um die fortschrittliche ferroelektrische Speichertechnologie von FMC auf den Markt zu bringen. Das Unternehmen plant die Erweiterung seines Teams in Dresden sowie den Beginn der internationalen Expansion, auch auf den US-amerikanischen und asiatischen Märkten.
„Der Aufstieg von KI, IoT, Big Data und 5G erfordert Speicherlösungen der nächsten Generation, die eine überlegene Geschwindigkeit und einen extrem niedrigen Energieverbrauch ermöglichen. Gleichzeitig müssen sie mit den modernsten CMOS-Logikprozessen kompatibel sein, die eine Senkung der Fertigungskosten garantieren“, sagt Ali Pourkeramati, CEO von FMC. „Wir sehen ein großes Interesse auf Seiten von Kunden und Entwicklungspartnern an unseren Vorteilen in Bezug auf schnellen Datenzugriff, höchstmögliche Programmier- und Löschgeschwindigkeit, branchenführende Energieeffizienz, einfache Integration in bestehende Fertigungsprozesse und niedrige Fertigungskosten. Diese Finanzierungsrunde wird die Kommerzialisierung unserer ferroelektrischen Feldeffekttransistor- (FeFET) und Kondensator- (FeCAP) Technologie in exponentiell wachsenden Märkten in den Bereichen KI, IoT, Embedded-Speicher und Hochleistungsrechenzentren beschleunigen.“
FMC hat bereits große Fortschritte bei der Entwicklung der nichtflüchtigen Speichertechnologie gemacht, die im Vergleich zu heutigen und zukünftigen Speicherlösungen überlegene Leistungcharakteristika verspricht. Derzeit arbeitet das Unternehmen eng mit großen Halbleiterunternehmen sowie mit Halbleiterfertigern in den USA, Europa und Asien zusammen.
Technologische Vorteile
Die Speichertechnologie von FMC nutzt die ferroelektrischen Eigenschaften von kristallinem Hafniumoxid (HfO2). HfO2 in seiner amorphen Form ist bereits das Gate-Isolatormaterial jedes CMOS-Transistors, vom Planar- bis zum FinFET-Transistor. Die patentierte Technologie von FMC ermöglicht es, amorphes HfO2 in kristallines ferroelektrisches HfO2 umzuwandeln. Auf diese Weise kann jeder Standard-CMOS-Transistor und -Kondensator in eine nichtflüchtige Speicherzelle, einen ferroelektrischen Feldeffekttransistor (FeFET) oder Kondensator (FeCAP) umgewandelt werden.
Neben der hohen Geschwindigkeit, der äußerst geringen Stromaufnahme, der CMOS-Kompatibilität, den geringeren Fertigungskosten und der extremen Temperaturstabilität bietet die FMC-Technologie eine vollständige magnetische Immunität und hohe Strahlungsfestigkeit. FeFETs und FeCAPs können in CMOS-Produktionslinien mit vorhandener Fertigungsinfrastruktur und ohne zusätzlichen Kapitalaufwand integriert werden.